Snapdragon 835 là mẫu SoC được Qualcomm chính thức ra mắt gần đây hướng đến những thiết bị di động cao cấp dự kiến sẽ ra mắt trong năm 2017. Qua những thông tin chính thức mà nhà sản xuất bộ xử lý di động nổi tiếng từ Mỹ này, có thể nhận thấy Snapdragon 835 được Samsung sản xuất trên quy trình 10nm FinFET.

Tuy sở hữu thiết kế nhỏ hơn, nhưng Snapdragon 835 được Qualcomm khẳng định là mẫu SoC thế hệ mới sẽ nhanh hơn 27% trong khi vẫn tiết kiệm năng lượng hơn 40% so với người tiền nhiệm. Theo cập nhật mới nhất, có vẻ như không chỉ cho hiệu năng “khỏe” hơn những mẫu SoC cũng thuộc cao cấp từng giới thiệu, Qualcomm Snapdragon 835 còn “mạnh” hơn cả đối thủ A10 của Apple. Cụ thể, kết quả hiệu năng đo bằng Antutu mới nhất so sánh hiệu năng giữa 2 mẫu SoC hàng khủng này cho thấy Qualcomm Snapdragon 835 đạt 181.434 điểm, trong khi đó, Apple A10 vốn chỉ dừng lại ở mức 172.644 điểm.

Được biết, thiết bị dùng để thử nghiệm hiệu năng bộ xử lý Qualcomm Snapdragon 835 được trợ lực từ 4GB bộ nhớ RAM, bộ nhớ trong 64GB và chạy nền tảng Android 7.0 Nougat. Dự kiến, cấu hình thử nghiệm cũng sẽ là một tiêu chuẩn cho những mẫu smartphone cao cấp dùng bộ xử lý Qualcomm Snapdragon 835 xuất hiện trong năm 2017.

Cũng theo cập nhật gần đây, Qualcomm Snapdragon 835 được cho là sử dụng nhân đồ họa Adreno 540 và là mẫu SoC được Qualcomm tích hợp đến 8 nhân xử lý tính toán. Qualcomm hồi chính thức ra mắt mẫu SoC hàng khủng này cũng khẳng định Snapdragon 835 với công nghệ sạc nhanh thế hệ mới của hãng có thể mang đến 5 giờ sử dụng chỉ trong 5 phút sạc.