Tháng trước, Qualcomm đã giới thiệu con chip cao cấp mới nhất của hãng là Snapdragon 835. Mới đây, trong một tweet ngắn đăng tải trên tài khoản Twitter chính thức, Qualcomm đã ngụ ý rằng Snapdragon 835 sẽ là "tâm điểm" của hãng tại sự kiện CES 2017 diễn ra vào tháng tới tại Las Vegas, Mỹ.

Theo PhoneArena, Snapdragon sẽ được sản xuất dựa trên quy trình 10nm của Samsung và sẽ hỗ trợ Quick Charge 4. Theo tuyên bố của hãng, với công nghệ này thì chỉ cần 5 phút sạc là bạn đã đủ dung lượng pin dùng trong 5 giờ liên tục.

Các chuyên gia hi vọng rằng, tại CES sắp tới Qualcomm sẽ công bố chi tiết hơn về thông số kỹ thuật của Snapdragon 835. Ví dụ, con chip này sẽ sử dụng cấu trúc 4 nhân như Snapdragon 820 hay quay lại 8 nhân như Snapdragon 810?

Ngoài ra, giới công nghệ cũng đang rất tò mò về tốc độ xung nhịp chính thức của con chip này. Theo một số bài test rò rỉ trên GFXBench, Snapdragon 835 sẽ bao gồm 8 nhân, tốc độ xung nhịp 2.2 GHz. Chip sử dụng nhân đồ họa Adreno 540 nhanh hơn 30% so với Adreno 530 được trang bị trên Snapdragon 820/821.

Theo các thông tin gần đây, có vẻ như LG G6 và Samsung Galaxy S8 sẽ là những thiết bị đầu tiên trang bị chip Snapdragon 835 của Qualcomm. Nhiều khả năng Galaxy S8 sẽ được công bố vào ngày 26/02 tới đây, tức là trước khi CES 2017 khai mạc. Trước đó, cũng có thông tin cho rằng Galaxy S8 sẽ được giới thiệu trong tháng Tư. Về phía LG, các chuyên gia dự đoán hãng này có thể ra mắt sớm LG G6 để chiếm được ưu thế trên thị trường trước khi Galaxy S8 lên kệ.