Qualcomm tuyên bố, phiên bản công nghệ sạc nhanh mới nhất sẽ giúp sạc thiết bị di động nhanh hơn 20% và hiệu quả hơn 30% so với thế hệ trước đó, vốn đang được ứng dụng cho một số lượng nhỏ các mẫu điện thoại flagship chạy hệ điều hành Android. Công nghệ mới này vì vậy sẽ giúp một chiếc smartphone kích cỡ trung bình, sở hữu pin 2.750mAh nạp đủ năng lượng dùng trong 5 giờ chỉ sau 5 phút sạc, hay pin sẽ đầy 50% sau 15 phút sạc.

Quan trọng hơn, theo Qualcomm, công nghệ mới còn tương thích với các thiết bị dùng chuẩn USB-C và USB Power Delivery (công nghệ truyền tải điện qua USB) do Google và cơ quan định chuẩn USB đặt ra.

Đối với nhiều người, đây không phải là đột phá lớn, song thông tin về nó được đưa ra chỉ một tuần sau khi Google cảnh báo các nhà sản xuất không nên sử dụng công nghệ sạc độc quyền (“Vbus”) mà các thiết bị được trang bị Quick Charge hiện thời đang dùng, do các lo ngại về độ an toàn và tính tương thích.

Theo Qualcomm, với

Bản cập nhật công nghệ Quick Charge trình làng cùng với sản phẩm flagship mới nhất trong dòng vi xử lý di động Snapdragon phổ biến của hãng - Snapdragon 835. Mặc dù Qualcomm vẫn chưa tiết lộ chính xác những gì có bên trong vi xử lý thế hệ tiếp theo, nhưng công ty xác nhận đang bắt tay với Samsung sản xuất Snapdragon 835 và họ sẽ sử dụng quy trình FinFET 10nm của đại gia công nghệ Hàn Quốc này.

Điều đó cũng đồng nghĩa, Snapdragon 835 sẽ có kích thước nhỏ hơn các vi xử lý tiền nhiệm Snapdragon 820 và 821, vốn sở hữu kích cỡ 14nm, đồng thời tăng hiệu năng sử dụng. Qualcomm nói, kích thước mảnh mai hơn sẽ giúp các nhà sản xuất chế tạo các thiết bị di động mỏng hơn hoặc thêm không gian để trang bị pin lớn hơn cho máy. Snapdragon 835 được kỳ vọng sẽ xuất hiện trong các smartphone cao cấp hơn vào nửa đầu năm 2017.