Theo báo cáo mới của Hội Kỹ sư Điện và Điện tử (IEEE), ổ cứng HDD 60 TB dự kiến sẽ xuất hiện vào năm 2028, gấp đôi dung lượng so với các ổ 30 TB hiện nay. Mặc dù đây là một bước nhảy lớn sau khi tốc độ tăng trưởng của HDD chững lại trong một thời gian, nhưng các nhà nghiên cứu cho rằng điều này có thể thực hiện được nhờ những công nghệ ghi dữ liệu tiên tiến, đặc biệt là công nghệ hỗ trợ từ trường bằng năng lượng (EAMR).

Hiện nay, HDD 60 TB đã tồn tại trên thị trường, nhưng chúng chủ yếu phục vụ phân khúc doanh nghiệp, như trong các trung tâm dữ liệu và hệ thống lưu trữ quy mô lớn với chi phí khá cao. Những sản phẩm này chưa phải là các ổ cứng dành cho máy tính cá nhân thông thường, vốn vẫn chủ yếu sử dụng các ổ có dung lượng nhỏ hơn.

Để đạt được mức dung lượng HDD 60 TB vào năm 2028, mật độ lưu trữ phải tăng đáng kể, từ 2 TB trên mỗi inch vuông vào năm 2025 lên hơn 4 TB trên mỗi inch vuông. Dự báo còn cho thấy rằng đến năm 2037, mật độ này có thể vượt ngưỡng 10 TB mỗi inch vuông, mở ra khả năng phát triển các ổ cứng với dung lượng lên đến 100 TB.

Tuy nhiên, quá trình đạt được mật độ cao cho ổ cứng HDD 60 TB không hề dễ dàng. Báo cáo của IEEE nhấn mạnh rằng những đột phá lớn trong vật liệu và công nghệ sẽ là yêu cầu bắt buộc. Các yếu tố quan trọng bao gồm việc phát triển các loại màng từ tính và phi từ tính mới, lớp phủ điện môi mỏng dưới 1 nm cho đầu đọc/ghi, lớp phủ bề mặt đĩa được cải tiến. Ngoài ra, báo cáo còn dự đoán tốc độ quay 7.200 vòng truyền thống sẽ tiếp tục được duy trì, do đó các cải tiến cần tập trung vào các yếu tố khác để tăng hiệu suất.

Không chỉ về mặt dung lượng, một dự báo đáng chú ý khác trong báo cáo là sự gia tăng doanh số toàn cầu của HDD. Thay vì giảm dần, như xu hướng đã thấy trong vài năm qua, doanh số HDD có thể tăng từ 166 triệu ổ cứng năm 2022 lên 208 triệu vào năm 2028 và tiếp tục đạt mức 359 triệu mỗi năm vào năm 2037.

Ngoài ra, IEEE cũng cung cấp những dự đoán quan trọng về thị trường bộ nhớ Flash 3D NAND. Việc nâng cao mật độ và giảm chi phí sẽ phụ thuộc vào việc tăng số bit trên mỗi ô nhớ (từ QLC lên PLC) và duy trì độ khắc sâu cao. Tuy nhiên, việc mở rộng số lớp NAND cũng có giới hạn, dự kiến sẽ dừng lại ở khoảng 1.000 lớp.