Như vậy chi phí trên mỗi GB vào khoảng 63 cent, cao hơn nhiều so với chi phí trên mỗi GB dung lượng trung bình của các dòng ổ SSD phổ thông.

Samsung PM1633a không định hướng đến đối tượng người dùng bình thường, đặc biệt là khía cạnh tốc độ. Tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên của PM1633a lần lượt là 200.000 và 32.000 IOPS, tốc độ đọc/ghi liên tục tối đa vào khoảng 1500 MB/s.

Tốc độ này nhanh hơn gấp đôi so với tốc độ trung bình của các dòng ổ SSD cao cấp dành cho người dùng cuối.

PM1633a là ổ 2,5" nhưng dày 15 mm do đó bạn không thể gắn vào khay 2,5" trên những chiếc laptop thông thường. Độ dày ổ cứng 2,5" trên laptop thường là 9 mm, 7 mm hoặc 5 mm trên những dòng siêu mỏng. Định hướng đến đối tượng người dùng doanh nghiệp nên PM1633a dùng giao tiếp SAS (Serial Attached SCSI) và với rack 2U 19" tiêu chuẩn trên máy chủ, người dùng có thể gắn tối đa 2 ổ PM1633a.

Ngoài mức dung lượng đến 15,36 TB thì Samsung cũng đã phát hành các phiên bản dung lượng thấp hơn của PM1633a gồm 7,68 TB, 3,84 TB, 1,92 TB, 960 GB và 480 GB.

PM1633a dùng công nghệ V-NAND 3D 256 Gb thế hệ thứ 3 của Samsung với các stack cell nhớ gồm 48 lớp nhằm mang lại mật độ nhớ cao hơn, hiệu năng và độ ổn định cao hơn so với thế hệ 2 (1 stack cell nhớ gồm 32 lớp, dung lượng 128 Gb V-NAND). Với phiên bản 15,36 TB, nó có 32 mô-đun NAND, mỗi mô-đun dung lượng 512 GB cấu tạo từ 512 chip nhớ 256 Gb V-NAND 16 lớp. Bên cạnh đó, Samsung còn tích hợp thêm 16 GB bộ nhớ DRAM với firmware được thiết kế đặc biệt để có thể truy xuất các mô-đun NAND mật độ cao dung lượng lớn.

Với công nghệ 3D V-NAND thế hệ 3, PM1633a có thể ghi được lượng dữ liệu gấp từ 2 đến 10 lần so với các ổ cứng dùng công nghệ 2D MLC thông thường. Thêm vào đó, tuổi thọ của chiếc ổ cứng này cũng rất cao. Samsung cho biết PM1633a có thể chịu được cường độ ghi toàn dung lượng mỗi ngày trong suốt 5 năm bảo hành. Điều này có nghĩa trong suốt vòng đời sản phẩm, PM1633a có thể ghi xoá hơn 27 PB (27000 TB) dữ liệu. Quy đổi ra thời gian, Samsung cho biết PM1633a có thời lượng sử dụng trung bình trước khi hỏng (MTBF) là 2 triệu giờ, tương đương dòng PM1633 đầu tiên.

Trong mỗi chip V-NAND của Samsung, mỗi cell khai thác cùng một cấu trúc 3D Charge Trap Flash ( CTF) trong đó các hàng cell được xếp chồng lên nhau theo phương dọc (Vertical) để hình thành 48 tầng kết nối với nhau thông qua 1,8 tỉ lỗ trống đâm xuyên qua các hàng cell nhờ công nghệ khắc bản mạch đặc biệt. Mỗi chip V-NAND chứa hơn 85,3 tỉ cell nhớ và mỗi cell có thể lưu 3 bit dữ liệu > 256 tỉ bit hay 256 Gb/chip. Video dưới đây cho cái nhìn cụ thể hơn về công nghệ 3D V-NAND của Samsung: