Theo Extremetech, Samsung đề xuất sử dụng bộ nhớ DRAM mới chủ yếu trong các hệ thống trí tuệ nhân tạo dựa trên mô hình ngôn ngữ lớn (LLM), mặc dù bộ nhớ này cũng phù hợp với các khối lượng công việc khác.

Về thông số kỹ thuật, LLW DRAM là bộ nhớ có mức tiêu thụ điện năng thấp, khả năng I/O cao, độ trễ thấp và băng thông 128 GB/giây trên mỗi mô-đun. Điều này có thể so sánh với sự kết hợp giữa bộ nhớ DDR5-8000 và bus 128 bit. Một trong những tính năng chính của LLW DRAM là mức tiêu thụ điện năng thấp ở mức 1,2 pJ/bit, mặc dù công ty không tiết lộ giá trị này được đo ở tốc độ truyền dữ liệu nào.

Hiện tại Samsung vẫn chưa tiết lộ chi tiết kỹ thuật cụ thể về LLW DRAM, nhưng do công ty đã phát triển các bộ nhớ có giao diện rộng như GDDR6W được một thời gian nên có thể Samsung sẽ kết hợp dung lượng của một số mô-đun DRAM này thành gói duy nhất sử dụng công nghệ FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging) để tăng băng thông giao diện và giảm mức tiêu thụ điện năng.

Samsung đã tiêu chuẩn hóa bộ nhớ GDDR6W vào quý 2/2022 và có kế hoạch sử dụng bộ nhớ này trong các hệ thống AI hay hệ thống điện toán hiệu năng cao (HPC), vì vậy có khả năng LLW DRAM sẽ được sử dụng trong các thiết bị điện toán biên dành cho hệ thống AI như smartphone, laptop và thậm chí cả hệ thống ô tô tự lái.

Samsung hiếm khi tiết lộ thông tin về thời điểm các công nghệ đầy hứa hẹn của hãng sẽ được tung ra thị trường, vì vậy thời điểm phát hành LLW DRAM trên các thiết bị thực vẫn chưa rõ ràng. Tuy nhiên, vì Samsung đã công bố thông tin chi tiết về hiệu suất dự kiến của công nghệ nên việc phát triển LLW DRAM có thể gần như đã hoàn tất.