Galaxy S8 sẽ được trang bị 8GB RAM cùng bộ nhớ Flash UFS 2.1

Galaxy S8 sẽ được trang bị 8GB RAM cùng bộ nhớ Flash UFS 2.1
Tạp chí Nhịp sống số - Không chỉ sử dụng chip Snapdragon 835, nguồn tin rò rỉ mới cho biết flagship Samsung Galaxy S8 còn được trang bị RAM lên tới 8GB cùng bộ nhớ Flash UFS 2.1 sản xuất theo quy trình 10nm.

Hiện chưa rõ, RAM 8GB sẽ dành riêng cho phiên bản cao cấp hay chuẩn bởi thông tin rò rỉ trước đó Galaxy S8 sẽ sở hữu RAM 6GB kèm bộ nhớ trong 256GB. Ngoài ra, một tin đồn khác cho biết flagship mới của Samsung sẽ có biến thể Galaxy S8 Plus với màn hình 6 inch. 

Việc "nhảy cóc" từ RAM 4GB lên RAM 8GB có phần hơi đột ngột tuy nhiên đây là điều Samsung cần làm bởi cấu hình rò rỉ của các đối thủ như HTC 11 đều thuộc loại khủng. Galaxy S8 còn là niềm hi vọng sau khi sự cố Galaxy Note 7. 

Trước đó, tin đồn cho biết Galaxy S8 sẽ sở hữu màn hình 5,1 inch, bên trong sử dụng vi xử lý Exynos 8895 hoặc Snapdragon 835, khởi chạy Android 7.0. Máy có thiết kế viền màn hình siêu mỏng, sử dụng cảm biến vân tay quang học, không còn nút home vật lý.

Dự kiến Galaxy S8 sẽ ra mắt tại MWC 2017 hay trong một sự kiện được Samsung tổ chức riêng vào tháng 4/2017 như một số tin đồn mới đây.

Có thể bạn quan tâm