Intel công bố đột phá nghiên cứu vi mạch 2D và 3D

Tạp chí Nhịp sống số - Tại IEDM 2022, Intel đã công bố những đột phá trong nghiên cứu về công nghệ đóng gói vi mạch 2D và 3D thúc đẩy quá trình đổi mới nhằm giữ lời hứa đưa 1.000 tỉ bóng bán dẫn vào một mạch tích hợp (IC) vào năm 2030.

Theo Digitimes, Intel đã giới thiệu những tiến bộ trong công nghệ đóng gói 3D với mật độ cải tiến mới gấp 10 lần. Công ty cho biết vật liệu mới cho bóng bán dẫn 2D mở rộng ra ngoài RibbonFET, bao gồm vật liệu siêu mỏng chỉ dày 3 nguyên tử (atom), các khả năng mới về hiệu quả năng lượng và bộ nhớ cho máy tính hiệu năng cao hơn, cũng như những tiến bộ cho điện toán lượng tử.

Intel công bố đột phá nghiên cứu vi mạch 2D và 3D

Tại IEDM 2022, nhóm Nghiên cứu Linh kiện của Intel đã trình bày những cải tiến của mình trên ba lĩnh vực chính, bao gồm công nghệ đóng gói liên kết lai 3D mới để cho phép tích hợp liền mạch các chiplet, vật liệu 2D siêu mỏng để lắp nhiều bóng bán dẫn hơn vào một con chip, cũng như các khả năng mới về hiệu quả năng lượng và bộ nhớ cho máy tính có hiệu năng cao hơn. Các nhà nghiên cứu đã xác định được các vật liệu và quy trình mới làm mờ ranh giới giữa bao bì và silicon.

“Chúng tôi tiết lộ các bước quan trọng tiếp theo trên hành trình mở rộng Định luật Moore lên 1.000 tỉ bóng bán dẫn trên một gói, bao gồm cả gói tiên tiến có thể đạt được mật độ kết nối gấp 10 lần, dẫn đến chip gần như nguyên khối (QMC). Các cải tiến về vật liệu của Intel cũng đã xác định các lựa chọn thiết kế thực tế có thể đáp ứng các yêu cầu về quy mô bóng bán dẫn bằng cách sử dụng vật liệu mới chỉ dày 3 nguyên tử, cho phép công ty tiếp tục mở rộng quy mô ngoài RibbonFET”, Intel cho biết.

Quảng cáo

Intel cũng đang xây dựng một lộ trình khả thi cho các tấm wafer GaN-on-silicon 300 mm bằng cách tạo ra những bước đột phá để chứng minh mức tăng gấp 20 lần so với GaN tiêu chuẩn và lập kỷ lục ngành về cung cấp năng lượng hiệu suất cao.

Trong lĩnh vực điện toán lượng tử, Intel cho biết họ tiếp tục giới thiệu các khái niệm mới trong vật lý với những đột phá trong việc cung cấp các cách tốt hơn để lưu trữ thông tin lượng tử bằng cách thu thập hiểu biết tốt hơn về các khiếm khuyết giao diện khác nhau, vốn ảnh hưởng đến dữ liệu lượng tử.

Được biết, QMC là một kỹ thuật liên kết lai mới có bước sóng dưới 3 nm và dẫn đến hiệu quả sử dụng năng lượng và mật độ hiệu suất tăng gấp 10 lần so với nghiên cứu mà Intel đã đệ trình tại IEDM năm ngoái. Mặc dù vậy, sản phẩm dựa trên thành quả từ nhóm Nghiên cứu Linh kiện của Intel được cho là sẽ phải mất khoảng 5 - 10 năm mới xuất hiện trên thị trường.

 

 

Theo Digitimes

Có thể bạn quan tâm