Nguồn tin mới đây được tiết lộ từ một nhà sản xuất phụ kiện giấu tên cho biết Qualcomm sẽ trang bị công nghệ sạc nhanh mới QuickCharge 4.0 cho vi xử lý cao cấp Snapdragon 830. Điểm nâng cấp của QuickCharge 4.0 nằm ở chỗ nó cho phép sạc pin cho các thiết bị di động với dòng điện lên đến 28W, cao hơn nhiều so với các công nghệ sạc nhanh hiện nay. Cụ thể hơn, người dùng có thể sử dụng các loại củ sạc có mức thông số là 5V/4.7A~5.6A hay 9V/4A.

Để đảm bảo mức độ an toàn tối ưu cho công nghệ sạc nhanh mới, Qualcomm đã áp dụng công nghệ Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (INOV) nhằm giúp các tế bào pin có thể tiếp nhận dòng điện công suất lớn một cách liên tục nhưng không dẫn đến hiện tượng quá nhiệt khiến máy nhanh bị nóng và gây tổn hại đến các linh kiện bên trong.

Nhiều khả năng công nghệ QuickCharge 4.0 sẽ sớm có mặt trên các mẫu điện thoại chạy vi xử lý Snapdragon 830 ra mắt vào đầu năm sau, mà một cái tên đang rất được chờ đợi chính là Samsung Galaxy S8.